近日，我院韩肖清教授领衔的电力系统运行与控制山西省重点实验室撰写的学术长文《Stability Analysis and Improvement forSSCB with Single-gate Controlled Series-connected SiC MOSFETs》被IEEE协会旗下电气电子领域顶级期刊IEEE Transactions on Industrial Electronics（中科院一区TOP，IF=7.515）接收并在线发表（EarlyAccess），该文第一作者为任宇副教授，通讯作者为韩肖清教授，太原理工大学为第一完成单位，西安交通大学为合作单位。
直流断路器在保障直流系统安全可靠运行方面起着至关重要的作用。与机械断路器相比，基于半导体器件的固态断路器在短路分断速度，装置紧凑性方面具有明显的优势。该论文揭示了碳化硅MOSFET器件串联单驱动控制方式应用于固态直流断路器的稳定性问题。文章通过小信号模型建立及稳定性判据分析对单驱动控制器件串联式在短路电流分断过程中的驱动震荡机理进行研究，并提出了稳定性提升方法。文章建立了1.7kV，72A固态断路器原型样机，在170微亨的直流电感下能够可靠分断100A短路电流，且在短路电流分断过程中实现串联器件的动态电压均衡。该论文成果有望简化固态直流断路器驱动结构，降低直流系统成本。
相关研究得到山西省高等学校科技创新项目资助（项目批准号：2019L0154），山西省回国留学人员科研资助项目（项目批准号：HGKY2019019），山西省应用基础研究计划（项目批准号：201901D211042）等项目的资助。
论文链接：https://ieeexplore.ieee.org/document/9177327
